Транзистор 2Т803А

2Т803А
Транзисторы 2Т803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем – не более 34 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ГЕ3.365.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т803А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max – Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr – Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (70В);
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10… 70;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом