Транзистор 2Т818В

2Т818В
Транзисторы 2Т818В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
– приемка «ВП» аА0.339.141ТУ;
– приемка «ОСМ» аА0.339.141ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: BDW52A.

Гарантийный срок хранения транзисторов – 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия – с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
– 25000 часов – во всех режимах, допускаемых ТУ;
– 40000 часов – в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т818В:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max – Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом