Транзистор 2Т828А
₴1.00
2Т828А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т828А, 2Т828Б выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.120 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т828А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max – Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 800 В (0,01кОм);
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max – Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (1400В);
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 2,25;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом
