Транзистор П217

П217
Транзисторы П217 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: СИ3.365.017ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П217:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21э – Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб – Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб – Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА;
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом